2SK1529・2SJ200・2SK1530・2SJ201／ネックス

東芝電界効果トランジスタ　　シリコンNチャネルＭＯＳ形

低周波電力増幅用

高耐圧です。　　　：ＶDSS＝180V

高順方向伝達アドミタンスです。
　　　　　　　　　　　　　：|Ｙfs|＝4.0S（標準）

2SJ200とコンプリメンタリになります。

最大定格（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	定　格	単　位
ドレイン・ソース間電圧	ＶDSS	180	Ｖ
ゲート・ソース間電圧	ＶGSS	±20	Ｖ
ドレイン電流　　（注1）	ＩD	10	A
許　　容　　損　　失（Tc＝25℃）	PD	120	W
チャネル温度	Tch	150	℃
保　存　温　度	Tｓｔｇ	-55～ 150	℃

　（注1）：チャネル温度が150℃を超えることのない

　　　　　放熱条件でご使用ください。

電気的特性（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	測定条件	最小	標準	最大	単位
ドレインしゃ断電流	ＩDSS	ＶDS＝180V，ＶGS＝0	－	－	1.0	mA
ゲート漏れ電流	ＩGSS	ＶDS＝0V，ＶGS＝±20V	－	－	±0.5	μA
ドレイン・ソース間降伏電圧	V（BR）DSS	ID＝10mＡ，ＶGS＝0	180	－	－	V
ドレイン・ソース間飽和電圧	VDS（ON）	ＶGS＝10V，ID＝6A	－	2.5	5.0	V
ゲート・ソース間しゃ断電圧	ＶGS（OFF）（注2）	ＶDS＝10V，ＩD＝0.1Ａ	0.8	－	2.8	V
順方向伝達アドミタンス	\|Ｙfs\|	ＶDS＝10V，ID＝3A	－	4.0	－	S
入　力　容　量	Ｃiss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz，	－	700	－	ｐF
出　力　容　量	Coss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz，	－	150	－	pF
帰　還　容　量	Crss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz，	－	90	－	PF

　（注2）：　ＶGS(OFF)　区分　Ｏ：0.8～1.6，　Ｙ：1.4～2.8

東芝電界効果トランジスタ　　シリコンＰチャネルＭＯＳ形

低周波電力増幅用

高耐圧です。　　　：ＶDSS＝-180V

高順方向伝達アドミタンスです。
　　　　　　　　　　　　　　：|Ｙfs|＝4.0S（標準）

2SK1529とコンプリメンタリになります。

最大定格（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	定　格	単位
ドレイン・ソース間電圧	ＶDSS	-180	Ｖ
ゲート・ソース間電圧	ＶGSS	±20	Ｖ
ドレイン電流　　（注1）	ＩD	-10	A
許　　容　　損　　失（Tc＝25℃）	PD	120	W
チャネル温度	Tch	150	℃
保　存　温　度	Tｓｔｇ	-55～ 150	℃

　（注1）：チャネル温度が150℃を超えることのない

　　　　　放熱条件でご使用ください。

電気的特性（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	測定条件	最小	標準	最大	単位
ドレインしゃ断電流	ＩDSS	ＶDS＝-180V，ＶGS＝0	－	－	-1.0	mA
ゲート漏れ電流	ＩGSS	ＶDS＝0，ＶGS＝20V	－	－	±0.5	μA
ドレイン・ソース間降伏電圧	V（BR）DSS	ID＝-10mＡ，ＶGS＝0	-180	－	－	V
ドレイン・ソース間飽和電圧	VDS（ON）	ＶGS＝-10V，ID＝-6A	－	-1.5	-5.0	V
ゲート・ソース間しゃ断電圧	ＶGS（OFF）（注2）	ＶDS＝-10V，ＩD＝-01Ａ	-0.8	－	-2.8	V
順方向伝達アドミタンス	\|Ｙfs\|	ＶDS＝-10V，ID＝-3A	－	4.0	－	S
入　力　容　量	Ｃiss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝ 0ｆ＝1MHz	－	1300	－	ｐF
出　力　容　量	Coss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝0ｆ＝1MHz	－	350	－	pF
帰　還　容　量	Crss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝0ｆ＝1MHz	－	200	－	PF

　（注2）：　ＶGS(OFF)　区分　Ｏ：-0.8～-1.6，　Ｙ：-1.4～-2.8

東芝電界効果トランジスタ　　シリコンＮチャネルＭＯＳ形

低周波電力増幅用

高耐圧です。　　　　　：ＶDSS＝200V

高順方向伝達アドミタンスです。
　　　　　　　　　　　　　　　　：|Ｙfs|＝5.0S（標準）

2SJ201とコンプリメンタリになります。

最大定格（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	定　格	単位
ドレイン・ソース間電圧	ＶDSS	200	Ｖ
ゲート・ソース間電圧	ＶGSS	±20	Ｖ
ドレイン電流　　（注1）	ＩD	12	A
許　　容　　損　　失（Tc＝25℃）	PD	150	W
チャネル温度	Tch	150	℃
保　存　温　度	Tｓｔｇ	-55～ 150	℃

　（注1）：チャネル温度が150℃を超えることのない

　　　　　放熱条件でご使用ください。

電気的特性（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	測定条件	最小	標準	最大	単位
ドレインしゃ断電流	ＩDSS	ＶDS＝200V，ＶGS＝0	－	－	1.0	ｍA
ゲート漏れ電流	ＩGSS	ＶDS＝0，ＶGS＝±20V	－	－	±0.5	μA
ドレイン・ソース間降伏電圧	V（BR）DSS	ID＝10mＡ，ＶGS＝0	200	－	－	V
ドレイン・ソース間飽和電圧	VDS（ON）	ＶGS＝10V，ID＝8A	－	2.5	5.0	V
ゲート・ソース間しゃ断電圧	ＶGS（OFF）（注2）	ＶDS＝10V，ＩD＝0.1Ａ	0.8	－	2.8	V
順方向伝達アドミタンス	\|Ｙfs\|	ＶDS＝10V，ID＝5A	－	5.0	－	S
入　力　容　量	Ｃiss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz	－	900	－	ｐF
出　力　容　量	Coss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz	－	180	－	pF
帰　還　容　量	Crss	ＶDS＝30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz	－	100	－	PF

　（注2）：　ＶGS(OFF)　区分　Ｏ：0.8～1.6，　Ｙ：1.4～2.8

東芝電界効果トランジスタ　　シリコンＰチャネルＭＯＳ形

低周波電力増幅用

高耐圧です。　　　　：ＶDSS＝-200V

高順方向伝達アドミタンスです。
　　　　　　　　　　　　　　　：|Ｙfs|＝5.0S（標準）

2SK1530とコンプリメンタリになります。

最大定格（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	定　格	単位
ドレイン・ソース間電圧	ＶDSS	-200	Ｖ
ゲート・ソース間電圧	ＶGSS	±20	Ｖ
ドレイン電流　　（注1）	ＩD	-12	A
許　　容　　損　　失（Tc＝25℃）	PD	150	W
チャネル温度	Tch	150	℃
保　存　温　度	Tｓｔｇ	-55～ 150	℃

　（注1）：チャネル温度が150℃を超えることのない

　　　　　放熱条件でご使用ください。

電気的特性（Ta＝25℃）

項　　目	記　号	測定条件	最小	標準	最大	単位
ドレインしゃ断電流	ＩDSS	ＶDS＝-200V，ＶGS＝0	－	－	-1.0	ｍA
ゲート漏れ電流	ＩGSS	ＶDS＝0，ＶGS＝±20V	－	－	±0. 5	μA
ドレイン・ソース間降伏電圧	V（BR）DSS	ID＝-10mＡ，ＶGS＝0	-200	－	－	V
ドレイン・ソース間飽和電圧	VDS（ON）	ＶGS＝-10V，ID＝-8A	－	-2.0	-5.0	V
ゲート・ソース間しゃ断電圧	ＶGS（OFF）（注2）	ＶDS＝-10V，ＩD＝-0.1Ａ	-0.8	－	-2.8	V
順方向伝達アドミタンス	\|Ｙfs\|	ＶDS＝-10V，ID＝-5A	－	5.0	－	S
入　力　容　量	Ｃiss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝0 ＝1MHz	－	1500	－	ｐF
出　力　容　量	Coss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz	－	400	－	pF
帰　還　容　量	Crss	ＶDS＝-30V，ＶGS＝0 ｆ＝1MHz	－	230	－	PF

　（注2）：　ＶGS(OFF)　区分　Ｏ：-0.8～-1.6，　Ｙ：-1.4～-2.8

※製品仕様は、予告無く変更、中止、及びお見積対応が出来ない物がございます。予め、ご了承ください。

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